发明名称 基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法
摘要 本申请公开了基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法。本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法,包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱,因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时,即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
申请公布号 CN106272030A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610901100.0 申请日期 2006.08.21
申请人 应用材料公司 发明人 D·J·本韦格努;J·D·戴维;B·斯韦德克;H·Q·李;L·卡鲁皮亚
分类号 B24B37/013(2012.01)I;B24B37/20(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I;G06F19/00(2011.01)I 主分类号 B24B37/013(2012.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 侯颖媖
主权项 一种监控抛光制程的计算机执行方法,所述方法包括以下步骤:存储参考光谱,所述参考光谱表示从来自参考基材的白光的反射得到的光谱;对于光学传感器跨正经历研磨的基材的多次扫略中的每一次扫略,取得多个所测得的光谱,每一次扫略的所述多个所测得的光谱中的每一个所测得的光谱是从来自所述正经历研磨的基材的白光的反射得到的光谱;对于所述多次扫略中的每一次扫略,确定在所述扫略中取得的所述多个所测得的光谱中的每一个所测得的光谱与所述参考光谱之间的差异以产生针对每一次扫略的多个差异;对于所述多次扫略中的每一次扫略,基于所述多个差异的幅度的比较来从针对所述扫略的所述多个差异中选择差异,由此产生一系列所选择的差异;以及基于所述一系列所选择的差异来判定出研磨终点。
地址 美国加利福尼亚州