2 STAIR STEP FORMATION USING AT LEAST TWO MASKS

摘要

메모리 소자에서와 같이, 적어도 2개의 마스크를 이용한 스테어 스텝 형성 장치 및 방법이 제공된다. 일례의 방법은 제 1 노출 영역을 형성하기 위해 전도 물질 위에 제 1 마스크를 형성하는 단계와, 제 2 노출 영역 형성을 위해 제 1 노출 영역의 일부분 위에 제 2 마스크를 형성하는 단계를 포함하며, 제 2 노출 영역은 제 1 노출 영역보다 작다. 전도 물질이 제 2 노출 영역으로부터 제거된다. 상기 제 2 마스크의 초기 제 1 치수는 제 1 노출 영역의 제 1 치수보다 작고, 상기 제 2 마스크의 초기 제 2 치수는 적어도 제 1 노출 영역의 제 2 치수 더하기, 상기 제 2 마스크의 초기 제 1 치수와 스테어 스텝 형성 후 상기 제 2 마스크의 최종 제 1 치수 사이의 차이와 동일한 거리다.