| 摘要 |
발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층과, 제1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되고, 각각 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 메사들과, 각각 복수의 메사들 상에 위치하여 제2 도전형 반도체층에 오믹 콘택하는 반사 전극들과, 복수의 메사들 및 제1 도전형 반도체층을 덮되, 각각의 메사 상부 영역 내에 위치하고 반사 전극들을 노출시키는 개구부들을 가지며, 제1 도전형 반도체층에 오믹콘택하고 복수의 메사들로부터 절연된 전류 분산층을 포함한다. 이에 따라, 전류 분산 성능을 개선한 발광 다이오드가 제공될 수 있다. |
