| 摘要 |
[과제] 극저온의 온도 제어에 의해 에칭을 촉진시키는 것을 목적으로 한다. [해결수단] 기판의 표면 온도를 -35℃ 미만으로 제어하고, 제1 고주파 전원이 출력하는 제1 고주파 전력 및 제2 고주파 전원이 출력하는 제2 고주파 전력을 이용하여 수소 함유 가스 및 불소 함유 가스로부터 플라즈마를 생성하고, 플라즈마에 의해 실리콘 산화막을 에칭 처리하는 제1 공정과, 상기 제2 고주파 전원의 출력을 정지하고, 플라즈마에 의해 실리콘 산화막을 에칭 처리하는 제2 공정을 포함하고, 상기 제1 공정과 상기 제2 공정을 복수회 반복하는 에칭 처리 방법이 제공된다. |
