一种抗高过载低量程电容式加速度传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及MEMS电容式加速度传感器，具体是一种抗高过载低量程电容式加速度传感器及其制造方法。本发明解决了现有MEMS电容式加速度传感器在高过载条件下无法实现稳定输出、无法实现高精度与抗高过载的动态平衡的问题。一种抗高过载低量程电容式加速度传感器，包括四悬臂梁结构和玻璃电极结构；所述四悬臂梁结构包括硅边框、硅质量块、四个硅悬臂梁、八个二氧化硅防护台；所述玻璃电极结构包括两个玻璃基板、两个金属电极。本发明适用于卫星导航、导弹制导、炮弹定向、汽车防震保护、自动刹车、医疗服务等领域。

主权项

一种抗高过载低量程电容式加速度传感器，其特征在于：包括四悬臂梁结构和玻璃电极结构；所述四悬臂梁结构包括硅边框（1）、硅质量块（2）、四个硅悬臂梁（3）、八个二氧化硅防护台（4）；硅质量块（2）的厚度小于硅边框（1）的厚度；四个硅悬臂梁（3）的厚度一致，且四个硅悬臂梁（3）的厚度均小于硅质量块（2）的厚度；四个硅悬臂梁（3）的外端端面分别与硅边框（1）的四个内侧面中央连接为一体，且每个硅悬臂梁（3）的外端侧面与硅边框（1）的内侧面之间均设有倒角（5）；四个硅悬臂梁（3）的内端端面分别与硅质量块（2）的四个侧面中央连接为一体，且每个硅悬臂梁（3）的内端侧面与硅质量块（2）的侧面之间均设有倒角（5）；其中四个二氧化硅防护台（4）分别固定于硅质量块（2）的正面四角；另外四个二氧化硅防护台（4）分别固定于硅质量块（2）的反面四角；所述玻璃电极结构包括两个玻璃基板（6）、两个金属电极（7）；每个玻璃基板（6）的正面和反面之间均贯通开设有一个通孔；两个金属电极（7）分别溅射于两个通孔内；两个玻璃基板（6）分别键合于硅边框（1）的正面和反面，且两个金属电极（7）分别与硅质量块（2）的正面和反面正对。