| 发明名称 | 一种高导热的功率器件封装结构和制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高导热的功率器件封装结构，功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底；同时也公开了该结构的制作方法，包括步骤1，功率器件背金和热沉镀层处理；步骤2，将经过背金处理的功率器件以及镀层处理的热层，进行金硅或金锗共晶焊。本发明通过优化非硅和非锗衬底功率器件背金工艺和热沉镀层工艺，实现高导热的金硅共金焊，可以满足大功率散热需求的低成本封装方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106206495A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610709649.X | 申请日期 | 2016.08.24 |
| 申请人 | 昆山华太电子技术有限公司 | 发明人 | 李琳松;张耀辉 |
| 分类号 | H01L23/40(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人 | 董建林 |
| 主权项 | 一种高导热的功率器件封装结构，其特征在于：功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市周庄镇秀海路188号 | ||