用于FinFET器件的方法和结构

摘要

本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收具有鳍的衬底，鳍穿过衬底上方的隔离结构而突出；蚀刻鳍的部分，从而产生沟槽；在沟槽的侧壁上形成掺杂的材料层；以及在沟槽中生长至少一个外延层。该方法还包括使隔离结构上方的至少一个外延层的第一部分暴露；以及实施退火工艺，从而将掺杂剂从掺杂的材料层驱至至少一个外延层的第二部分内。至少一个外延层的第一部分为半导体器件提供应变的沟道，并且至少一个外延层的第二部分提供穿通停止件。本发明的实施例还涉及用于FinFET器件的方法和结构。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：接收具有鳍的衬底，所述鳍突出穿过所述衬底上方的隔离结构；蚀刻所述鳍的部分，从而产生沟槽；在所述沟槽的侧壁上形成掺杂的材料层；在所述沟槽中生长至少一个外延层；使所述隔离结构和所述掺杂的材料层凹进，从而留下位于所述隔离结构上方的所述至少一个外延层的第一部分和由所述掺杂的材料层围绕的所述至少一个外延层的第二部分；以及实施退火工艺，从而将掺杂剂从所述掺杂的材料层驱至所述第二部分内。