发明名称 一种升降压实现电路
摘要 本实用新型涉及电子烟领域,尤其涉及一种升降压实现电路,电路包括:第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、电感L、电容C<sub>in</sub>、电容C<sub>out</sub>、MOS管驱动芯片U1以及控制器芯片U2,本实用新型只采用两颗MOS管、一颗MOS管驱动芯片U1就能够完成电压的DC‑DC转换,控制器芯片U2根据采样电阻R1和采样电阻R2反馈的电压,通过控制调节MOS管驱动芯片U1的HD信号输出和LD信号输出的驱动方波的占空比,实现输出电路稳定的升压和降压功能。
申请公布号 CN205757213U 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201620666450.9 申请日期 2016.06.28
申请人 于殊霆 发明人 于殊霆
分类号 A24F47/00(2006.01)I 主分类号 A24F47/00(2006.01)I
代理机构 北京兆君联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11333 代理人 胡敬明
主权项 一种升降压实现电路,其特征在于,包括:第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、电感L、电容C<sub>in</sub>、电容C<sub>out</sub>、MOS管驱动芯片U1、控制器芯片U2;所述第一MOS管Q1的漏极与电容C<sub>in</sub>的一端连接,并一起连接到输入电源V<sub>in</sub>;所述第一MOS管Q1的源极与所述电感L的一端连接,所述电感L的另一端与电容C<sub>in</sub>的另一端连接,并一起接地;所述第二MOS管Q2的漏极与所述第一MOS管Q1的源极连接,所述第二MOS管Q2的源极与所述电容C<sub>out</sub>的一端连接,所述电容C<sub>out</sub>的另一端与所述电感L的另一端连接,并一起接地;所述MOS管驱动芯片U1包括PWM_IN信号输入、HD信号输出、LD信号输出,所述HD信号输出与所述第一MOS管Q1的栅极连接,所述LD信号输出与所述第二MOS管Q2的栅极连接;所述控制器芯片U2包括PWM信号输出、AD/COMP电压采样处理单元以及REF参考电压单元,所述控制器芯片U2的PWM信号输出与所述MOS管驱动芯片U1的PWM_IN信号输入连接。
地址 300202 天津市河西区竹林路秀峰里12号509