发明名称 嵌入式辉光放电电极
摘要 本发明属于一种辉光放电电极,具体公开一种嵌入式辉光放电电极,该电极包括真空法兰、真空电引线、设置在真空电引线真空侧一端的电极头和屏蔽罩,电极头位于屏蔽罩内;屏蔽罩的一侧套在真空电引线的真空侧,屏蔽罩的另一侧敞口。本发明的嵌入辉光放电电极可避免氘氚等离子体直接辐照,具有较低的漏水风险,满足热核聚变实验堆的安全性和可靠性。
申请公布号 CN103903931B 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201210575282.9 申请日期 2012.12.26
申请人 核工业西南物理研究院 发明人 王明旭;王英翘;潘宇东;任晓坜;但敏;王丁;李波;李伟;江涛;沈丽如;舒筱丹;甘明杨;张智勇
分类号 H01J1/52(2006.01)I;H01J1/88(2006.01)I;G21B1/25(2006.01)I 主分类号 H01J1/52(2006.01)I
代理机构 核工业专利中心 11007 代理人 高尚梅
主权项 一种嵌入式辉光放电电极,其特征在于:该电极包括真空法兰(4)、真空电引线(3)、设置在真空电引线(3)一端的电极头(1)和屏蔽罩(2),电极头(1)位于屏蔽罩(2)内;真空电引线(3)的真空侧(5)设有电极头(1)以及一侧敞口的屏蔽罩(2);真空电引线(3)的真空侧(5)一端与电极头(1)连接,真空电引线(3)的另一端贯穿真空法兰(4)至空气侧(6)。
地址 610041 四川省成都市二环路南三段三号