| 发明名称 | 操作基板、半导体用复合基板、半导体电路基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105074870B | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201480019693.7 | 申请日期 | 2014.12.16 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 李晓 |
| 主权项 | 一种半导体用复合基板的操作基板，其特征在于，所述操作基板由多晶透光性氧化铝构成，所述多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，所述多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，所述多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号 | ||