| 发明名称 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有覆盖部分所述半导体衬底的牺牲层，以形成台阶形结构；步骤S2：共形沉积功能材料层，以覆盖所述半导体衬底和所述牺牲层；步骤S3：在所述台阶形结构处的所述功能材料层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4：在所述功能材料层的侧壁和所述间隙壁上形成干膜层，以覆盖所述间隙壁和所述侧壁；步骤S5：沉积金属材料层并图案化，以形成金属层并覆盖所述干膜层；步骤S6：去除所述牺牲层，以形成空腔。本发明的优点在于：1、改善薄膜复合层的叠层(film stack)。2、抑制湿法化学蚀刻(Wet Chemical)对于器件的损坏。3、保护器件，提高良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106185787A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510216034.9 | 申请日期 | 2015.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超;王伟 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有覆盖部分所述半导体衬底的牺牲层，以形成台阶形结构；步骤S2：共形沉积功能材料层，以覆盖所述半导体衬底和所述牺牲层；步骤S3：在所述台阶形结构处的所述功能材料层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4：在所述功能材料层的侧壁和所述间隙壁上形成干膜层，以覆盖所述间隙壁和所述侧壁；步骤S5：沉积金属材料层并图案化，以形成金属层并覆盖所述干膜层；步骤S6：去除所述牺牲层，以形成空腔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||