| 发明名称 | 作为垂直晶体管的局部互连件的顶部金属焊盘 | ||
| 摘要 | 一种集成电路结构包括第一垂直晶体管和第二垂直晶体管。第一垂直晶体管包括第一半导体沟道、位于第一半导体沟道上方的第一顶部源极/漏极区以及覆盖第一顶部源极/漏极区的第一顶部源极/漏极焊盘。第二垂直晶体管包括第二半导体沟道、位于第二半导体沟道上方的第二顶部源极/漏极区以及覆盖第二顶部源极/漏极区的第二顶部源极/漏极焊盘。局部互连件互连第一顶部源极/漏极焊盘和第二顶部源极/漏极焊盘。第一顶部源极/漏极焊盘、第二顶部源极/漏极焊盘和局部互连件是连续区域的部分，在第一顶部源极/漏极焊盘、第二顶部源极/漏极焊盘和局部互连件之间没有可辨识的界面。本发明还涉及作为垂直晶体管的局部互连件的顶部金属焊盘。 | ||
| 申请公布号 | CN106206514A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510262838.2 | 申请日期 | 2015.05.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 连万益;邱奕勋;游家权;黄禹轩;王志豪 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，包括：第一垂直晶体管，包括：第一半导体沟道；第一顶部源极/漏极区，位于所述第一半导体沟道上方；和第一顶部源极/漏极焊盘，覆盖所述第一顶部源极/漏极区；第二垂直晶体管，包括：第二半导体沟道；第二顶部源极/漏极区，位于所述第二半导体沟道上方；和第二顶部源极/漏极焊盘，覆盖所述第二顶部源极/漏极区；以及局部互连件，互连所述第一顶部源极/漏极焊盘和所述第二顶部源极/漏极焊盘，其中，所述第一顶部源极/漏极焊盘、所述第二顶部源极/漏极焊盘和所述局部互连件是连续区域的部分，在所述第一顶部源极/漏极焊盘、所述第二顶部源极/漏极焊盘和所述局部互连件之间没有可辨识的界面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||