发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE PRE-WRITE PROGRAM AND RESTORATION PROGRAM
摘要 제어 회로(105)는, 제1 소거 커맨드를 수신하였을 때, 제1 기억 소자(102)의 임계값 전압과 제2 기억 소자(103)의 임계값 전압을 함께 증가시키는 제1 프리라이트 처리의 실행을 제어하고, 그 후, 제1 기억 소자(102)의 임계값 전압과 제2 기억 소자(103)의 임계값 전압이 소정의 소거 베리파이 레벨보다 작아질 때까지, 제1 기억 소자(102)의 임계값 전압과 제2 기억 소자(103)의 임계값 전압을 함께 감소시키는 소거 처리의 실행을 제어한다. 제어 회로(105)는 제2 소거 커맨드를 수신하였을 때, 제1 기억 소자(102)와 제2 기억 소자(103) 중 한쪽의 임계값 전압을 증가시키는 제2 프리라이트 처리의 실행을 제어하고, 그 후, 소거 처리의 실행을 제어한다.
申请公布号 KR20160140329(A) 申请公布日期 2016.12.07
申请号 KR20157001541 申请日期 2014.03.31
申请人 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 发明人 다니, 구니오
分类号 G11C16/22;G11C16/04;G11C16/14;G11C16/34 主分类号 G11C16/22
代理机构 代理人
主权项
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