超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法

摘要

本发明提供了一种超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，所述超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法包括：在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺。通过在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺，使得积聚在反应腔室壁上的金属铜层被清除。从而避免/减轻了在超深孔等离子刻蚀工艺之后的氧化层刻蚀速率漂移的问题，提高了超深孔等离子刻蚀量产工艺关键尺寸一致性，以及所形成的集成电路器件的一致性。

主权项

一种超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，包括：在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺；其中，对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺之后，所述反应腔室中发生如下反应：氮气和氢气还原反应腔室壁上的铜层；含氟气体与还原得到的铜离子反应，并形成携带有铜离子的气体。