| 发明名称 | 一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述锗衬底结构包括硅衬底、结晶氧化铍层和结晶锗层。所述方法通过在单晶硅衬底表面上沉积结晶金属铍层，通过氧化的方法，形成适于锗层外延的结晶氧化铍层,进而在该结晶氧化铍层表面外延形成单晶锗层。本发明提供的硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103578934B | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201210258454.X | 申请日期 | 2012.07.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威;薛百清 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种硅基绝缘体上锗衬底结构，其特征在于，所述锗衬底结构包括硅衬底、结晶氧化铍层和结晶锗层；所述硅衬底位于所述锗衬底结构的底部，所述结晶氧化铍层置于所述硅衬底之上，所述结晶锗层置于所述结晶氧化铍层之上；所述结晶氧化铍层的晶体结构为六方相单晶。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||