一种中空MoS₂微米棒及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有中空结构的MoS₂微米棒及其制备方法。其制备方法是通过沉淀法制备具有棒状结构的四硫代钼酸铵前驱体，煅烧法将前驱体分解，得到具有中空结构的MoS₂微米棒，该中空微米棒由超薄MoS₂纳米片组装而成，微米棒的直径为50nm～10μm，长度为2μm～50μm，比表面积10～100m²/g，其基本单元超薄纳米片的片长为片厚为2～50nm。该种MoS₂中空微米棒材料可以很好的将纳米结构的高性能及微米尺寸的可控优势结合起来。该制备方法对沉淀法获得的前驱体具有很高的形貌继承性，通过控制前驱体的形貌及煅烧条件得到具有不同形貌的MoS₂中空结构。

主权项

一种具有中空结构的MoS₂微米棒，其特征在于：MoS₂直径为50nm～20μm，长度为2μm～50μm，该中空微米棒是由大量尺寸均一的超薄纳米片单元相互交织而成，中空微米棒比表面积为10～100m²/g，组成中空微米棒的超薄纳米片的厚度为2～50nm。