| 发明名称 | 半导体存储装置、阻抗校准电路及其方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置可以包括存储单元阵列。半导体存储装置可以包括阻抗校准电路，阻抗校准电路被配置为通过基于接口节点的电压产生阻抗码来执行阻抗匹配操作，接口节点的电压根据外部参考电阻器是否耦接至阻抗校准电路而通过外部参考电阻器或内部参考电阻单元来确定。半导体存储装置可以包括数据输入/输出(I/O)驱动器，数据输入/输出(I/O)驱动器被配置为从存储单元阵列接收输入数据并且响应于阻抗码来产生输出数据。 | ||
| 申请公布号 | CN106205662A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510772001.2 | 申请日期 | 2015.11.12 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 郑尧韩;孙琯琇 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，包括：存储单元阵列；阻抗校准电路，被配置为通过基于接口节点的电压产生阻抗码来执行阻抗匹配操作，接口节点的电压根据外部参考电阻器是否耦接至阻抗校准电路而通过外部参考电阻器或内部参考电阻单元来确定；以及数据输入/输出I/O驱动器，被配置为从存储单元阵列接收输入数据并且响应于阻抗码来产生输出数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||