包括应力诱导层的集成电路（IC）器件

摘要

提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。

主权项

一种集成电路器件，包括：在垂直方向上从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域在其间限定凹陷；在所述凹陷的深度方向上在所述凹陷下部部分中的隔离层，所述隔离层包括沿着所述第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着所述第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在所述第一应力衬里与所述第一鳍形沟道区域的侧部之间以及在所述第二应力衬里与所述第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里；沿着被所述隔离层暴露的所述第一鳍形沟道区域和所述第二鳍形沟道区域的上部部分的表面延伸的栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上的栅极电极层。