一种波纹尖峰抑制式智能手机充电电路

摘要

本发明公开了一种波纹尖峰抑制式智能手机充电电路，其特征在于：主要由变压器T，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，电容C1，电容C2，电容C3，电容C4，电容C5，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，二极管D1，二极管D2，稳压二极管D3以及二极管D4组成。本发明不仅结构简单，而且成本低廉，充电时还能减小对手机电池的损伤，从而将电池的正常使用寿命提高到1万小时以上，使电池的正常使用寿命延长了25％以上，因此给智能手机用户带来极大地便利，适合推广运用。

主权项

一种波纹尖峰抑制式智能手机充电电路，其特征在于：主要由变压器T，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，正极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接、负极与变压器T的副边电感线圈的同名端相连接的电容C1，正极与电容C1的正极相连接、负极与三极管VT1的发射极相连接的电容C2，正极与三极管VT1的发射极相连接、负极与电容C1的负极相连接的电容C3，正极经电阻R1后与电容C1的正极相连接、负极与三极管VT1的集电极相连接的电容C4，P极与电容C4的正极相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D1，P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与三极管VT2的基极相连接的二极管D2，串接在三极管VT2的发射极与三极管VT3的发射极之间的电阻R2，串接在三极管VT2的集电极与三极管VT3的发射极之间的电阻R3，串接在三极管VT2的集电极与三极管VT3的基极之间的电阻R4，串接在三极管VT1的基极与电容C1的负极之间的电阻R5，串接在三极管VT2的集电极与电容C1的负极之间的电容R6，P极与电容C1的负极相连接、N极与三极管VT2的集电极相连接的稳压二极管D3，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与电容C1的负极相连接的电容C5，以及P极与三极管VT3的发射极相连接、N极与电容C1的负极共同组成整个充电电路的输出端的二极管D3组成；所述变压器T的原边电感线圈的两端组成电源输入端。