发明名称 一种低成本、规模化生产的背接触电池
摘要 本发明公开了一种低成本、规模化生产的背接触电池,包括硅片基体,硅片基体的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层,P型掺杂层的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层,N型非晶硅层上覆盖有氮化硅钝化膜,P型掺杂层上覆盖有氮化硅钝化膜,硅片基体的背面还印刷有金属栅线;所述硅片基体的正面覆盖有氮化硅膜,所述N型非晶硅层的外表面依次层叠设有EVA膜、导电薄膜、玻璃基体,EVA膜与导电薄膜之间设有导电胶体,导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体的背面接触。本技术方案所述新型背接触电池,其结构简单,便于制作,在一定程度上降低了成本。
申请公布号 CN106206777A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201610696030.X 申请日期 2016.08.22
申请人 四川英发太阳能科技有限公司 发明人 张杰
分类号 H01L31/0236(2006.01)I 主分类号 H01L31/0236(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种低成本、规模化生产的背接触电池,其特征在于,包括硅片基体(1),硅片基体(1)的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层(5),P型掺杂层(5)的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层(4),N型非晶硅层(4)上覆盖有氮化硅钝化膜,P型掺杂层(5)上覆盖有氮化硅钝化膜,硅片基体(1)的背面还印刷有金属栅线(2);所述硅片基体(1)的正面覆盖有氮化硅膜(3),所述N型非晶硅层(4)的外表面依次层叠设有EVA膜(6)、导电薄膜(7)、玻璃基体(8),EVA膜(6)与导电薄膜(7)之间设有导电胶体,导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体(1)的背面接触。
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