| 发明名称 | 用于特征镀敷的选择性晶种层处理 | ||
| 摘要 | 本申请涉及用于特征镀敷的选择性晶种层处理。常规金属化工艺在高密度或小特征大小的图案处会出现故障。举例来说，在图案化期间，干膜可能会塌陷或剥离，从而导致所述金属化图案中出现短路或断路。一种用于集成电路的金属化的示范性方法包括：在电介质层(504)中形成例如沟槽、衬垫和平面等特征(520)；以及在所述电介质层的期望特征中沉积和选择性处理晶种层(506)。所述晶种层(508)的经处理区域可以用作晶种，用于将例如铜等导电材料(510)无电沉积到所述特征中。在所述晶种层是催化油墨时，可以通过用激光固化所述催化油墨来处理所述晶种层。 | ||
| 申请公布号 | CN106211605A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610596522.1 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 奥马尔·J·贝希尔;米林德·P·沙阿;萨斯达尔·莫瓦 |
| 分类号 | H05K3/10(2006.01)I;H05K3/18(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;C25D7/00(2006.01)I;C23C18/18(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种用于形成衬底的方法，其包含：在衬底表面上的电介质材料中形成多个特征；在所述电介质材料上和所述多个特征内沉积晶种层；选择性地仅处理沉积于所述多个特征中的每一者的水平表面上的所述晶种层的若干部分；移除未处理晶种层部分；以及镀敷所述经处理晶种层部分以使用导电材料选择性填充所述多个特征。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||