一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管晶圆

摘要

一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管晶圆，属于光电子技术领域，特别涉及AlGaInP四元系发光二极管的制造技术领域。本实用新型特点是：金属键合层和镜面层分别以各晶粒为单位呈分布式排列，各晶粒的金属键合层对应地包裹在相应的晶粒的ITO薄膜层下方的镜面层外；在各晶粒的主电极和N‑AlGaInP电流扩展层周围的发光区上设置介质膜导电孔层。本实用新型在电极下方P面和N面均形成了肖特基结，从而减小了电流的无效注入，提升了发光效率，可使后结工艺的切割道上没有金属粘结层，降低亮度损失，提升产品良率，减少后端工艺流程，降低切割成本，同时也避免了客户端在进行灌胶作业时，漏电、爬胶等问题。

主权项

一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管晶圆，包括衬底，在衬底下方设置背电极，在衬底上方依次设置金属键合层、镜面反射层、外延层和扩展电极，在扩展电极上设置主电极；所述镜面反射层由介质膜导电孔层、ITO薄膜层和镜面层组成；所述镜面层设置在金属键合层上方，ITO薄膜层设置在镜面层上方，介质膜导电孔层设置在ITO薄膜层上方；所述外延层包括依次设置在介质膜导电孔层上方的P‑GaP窗口层、缓冲层、P‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、N‑AlGaInP限制层、N‑AlGaInP电流扩展层、粗化层和N‑GaAs欧姆接触层；其特征在于：所述金属键合层和镜面层分别以各晶粒为单位呈分布式排列，各晶粒的金属键合层对应地包裹在相应的晶粒的ITO薄膜层下方的镜面层外；在各晶粒的主电极和N‑AlGaInP电流扩展层周围的发光区上设置介质膜导电孔层。