发光二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在基底依次外延生长一有源层，该有源层包括缓冲层、一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；形成一第三光学对称层于所述第二半导体层远离基底的表面；形成一金属层于所述第三光学对称层远离基底的表面；形成一第四光学对称层于所述金属层远离基底的表面；形成一第一光学对称层于第四光学对称层远离基底的表面，该第一光学对称层的折射率n₁与缓冲层和有源层的整体的等效折射率n₂的差值∆n₁于等于0.3，其中∆n₁=|n₁‑n₂|；去除所述基底，暴露出第一半导体层；以及在第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与第二半导体层电连接。

主权项

一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一缓冲层、一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一第三光学对称层于所述第二半导体层远离基底的表面，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；步骤d：形成一金属层于所述第三光学对称层远离基底的表面；步骤e：形成一第四光学对称层于所述金属层远离基底的表面，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；步骤f：形成一第一光学对称层于所述第四光学对称层远离基底的表面，该第一光学对称层的折射率n₁与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n₂的差值Δn₁于等于0.3，其中Δn₁＝|n₁‑n₂|；步骤g：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层；以及步骤h：在第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与第二半导体层电连接。