| 发明名称 | 半导体用复合基板的操作基板 | ||
| 摘要 | 半导体用复合基板包括操作基板(11)、以及在操作基板(11)的表面直接或介由接合层键合的施主基板。操作基板(11)由绝缘性多晶材料形成，操作基板(11)的表面(15)的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，操作基板的表面形成有凹部(6)。 | ||
| 申请公布号 | CN104364905B | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201480001476.5 | 申请日期 | 2014.03.26 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 井出晃启;岩崎康范;宫泽杉夫 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;B23K20/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 李晓 |
| 主权项 | 一种半导体用复合基板的操作基板，其特征在于，所述操作基板由晶体粒径15～200μm且相对密度98％以上的绝缘性多晶氧化铝材料形成，所述操作基板研磨面的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，所述研磨面形成有凹部，所述凹部是由于所述绝缘性多晶氧化铝材料晶粒的脱落而在晶界上形成的凹部，或者是由于所述绝缘性多晶氧化铝材料内部存在气泡而在研磨面上形成的凹部，俯视所述操作基板的所述研磨面时，所述凹部的外侧轮廓为圆形或椭圆形，直径0.5μm以上的凹部的密度为每1cm<sup>2</sup>所述研磨面中50个以上、4500个以下，所述凹部的深度的平均值为0.1μm以上、0.8μm以下。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号 | ||