| 发明名称 | 一种微波薄膜电容集成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种微波薄膜电容集成方法，步骤一：将一个电容分解成若干个电容串联的结构；步骤二：真空镀膜并光刻蚀下电极图形；步骤三：真空镀膜并光刻蚀介质层图形；步骤四：真空镀膜并光刻蚀上电极图形；步骤五：电镀上电极图形及下电极图形。采用上述方案，解决了采用大介电常数、低损耗因数介质材料制作小容值薄膜电容的工艺实现困难问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103617888B | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201310567008.1 | 申请日期 | 2013.11.14 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 发明人 | 王斌;宋振国 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 龚燮英 |
| 主权项 | 一种微波薄膜电容集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将一个电容分解成若干个电容串联的结构；步骤二：真空镀膜并光刻蚀下电极图形；步骤三：真空镀膜并光刻蚀介质层图形；步骤四：真空镀膜并光刻蚀上电极图形；步骤五：电镀上电极图形及下电极图形；所述步骤一中，所述电容串联为电容首尾相连式的串联；所述步骤三中，所述介质层的材料为大介电常数、低损耗因数的介质材料；所述介质层的厚度为5000‑100000nm。 | ||
| 地址 | 266555 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号 | ||