发明名称 一种高度织构化Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷的制备方法
摘要 一种高度织构化Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷的制备方法,首先,将Ti、Al、TiN粉体作为初始原料,进行热爆反应烧结,快速冷却并磨去坯体表面氧化层,破碎并过筛,得到Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷粉体,然后,取一定量的Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷粉体填入模具中进行放电等离子体预烧结,当烧结温度达到要求时单轴加压,冷却,最后,将所得烧结坯体置于石墨模具中,待反应腔体温度达到要求后,单轴加压并保温,之后冷却至室温,得到高度织构化的Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷块体,能够利用热爆反应快速制备出高纯度、小晶粒Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷块体,并通过放电等离子体烧结技术得到晶粒具有高度择优取向的Ti2AlN陶瓷块体,具有操作简便、烧结速度快、适合规模化生产的特点。
申请公布号 CN106187199A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201610529961.0 申请日期 2016.07.05
申请人 陕西科技大学 发明人 刘毅;李莹欣;李樊;张利锋;郭守武
分类号 C04B35/58(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/65(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 刘国智
主权项 一种高度织构化Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将摩尔配比为Ti:Al:TiN=(1‑1.5):(1‑1.5):1的粉体作为初始原料,经4h球磨后冷压成型后进行热爆反应烧结,烧结温度650‑900℃,保温2min后快速冷却并磨去坯体表面氧化层,破碎并过300目筛,得到Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷粉体;步骤2:取一定量的Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷粉体填入模具中进行放电等离子体预烧结,起始温度为室温,当烧结温度达到900‑1100℃时,单轴加压到30~50MPa后直接冷却;步骤3:将步骤2所得烧结坯体置于石墨模具中,待反应腔体温度达到1100‑1300℃,单轴加压50‑100MPa,保温5‑10min后冷却至室温,最终得到高度织构化的Ti<sub>2</sub>AlN陶瓷块体。
地址 710021 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学
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