发明名称 |
用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置 |
摘要 |
本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。 |
申请公布号 |
CN106189267A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201510282712.1 |
申请日期 |
2015.05.28 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
尹熙灿;金佑翰;高尚兰;郭泽秀;金补宣;金真敎;罗隆熙;卢健培;朴玺美;裵镇希;司空峻;李殷善;任浣熙;张俊英;郑日;黄丙奎 |
分类号 |
C08L83/16(2006.01)I;C08L83/14(2006.01)I;C01B33/113(2006.01)I |
主分类号 |
C08L83/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
马爽;臧建明 |
主权项 |
一种用于形成二氧化硅层的组成物,包括:重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物;以及溶剂。 |
地址 |
韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号 |