发明名称 半导体硅片清洗液及生产方法
摘要 本发明公开一种清洗彻底且效率高的半导体硅片清洗液及生产方法,由A组分和B组份按体积比为1~4:1~4混合组成,所述A组分的原料及质量百分比如下:脂肪醇聚氧乙烯醚3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5~15%和纯水余量;所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。生产方法是A组分按照如下步骤进行:先将计算量的氢氧化钾和乙二胺四乙酸钠盐溶解在定量的纯水中,再依次注入计算量的磺化琥珀酸二辛酯钠盐和脂肪醇聚氧乙烯醚,搅拌15分钟后添加计算量的二乙二醇丁醚,继续搅拌20分钟。
申请公布号 CN106190615A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201610526209.0 申请日期 2016.07.06
申请人 三达奥克化学股份有限公司 发明人 杨同勇;李文瀚
分类号 C11D1/72(2006.01)I;C11D3/60(2006.01)I;C11D3/48(2006.01)I;C11D3/34(2006.01)I;C11D3/33(2006.01)I;C11D3/20(2006.01)I;C11D3/04(2006.01)I 主分类号 C11D1/72(2006.01)I
代理机构 大连非凡专利事务所 21220 代理人 闪红霞
主权项 一种半导体硅片清洗液,其特征在于由A组分和B组份按体积比为1~4:1~4混合组成,所述A组分的原料及质量百分比如下:脂肪醇聚氧乙烯醚3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5~15%和纯水余量;所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。
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