| 发明名称 | 一种新型镁合金羟基磷灰石复合膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种新型镁合金羟基磷灰石复合膜的制备方法，通过四针ZnO<sub>W</sub>晶须的表面修饰，使其表面带上正电离子基团；并在镁合金表面制备多孔结构羟基磷灰石层，以这种表面带上正电离子基团的四针ZnO<sub>W</sub>晶须加入电沉积液，以这种复合电沉积液对镁合金表面多孔结构羟基磷灰石层进行复合电沉积，本发明的制备方法使四针ZnO<sub>W</sub>晶须弥散分布于羟基磷灰石层，形成羟基磷灰石的增强相，有效提高了羟基磷灰石层强度和韧性，且制备的镁合金羟基磷灰石/四针ZnO<sub>W</sub>晶须复合膜具有优良的抗菌、耐蚀和生物相容性。 | ||
| 申请公布号 | CN106191835A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610629388.0 | 申请日期 | 2016.08.03 |
| 申请人 | 北方工业大学 | 发明人 | 赵明;王学良;陈睿;王宇 |
| 分类号 | C23C22/22(2006.01)I;C23C22/83(2006.01)I;C25D11/36(2006.01)I;C25D15/00(2006.01)I;A61L27/12(2006.01)I;A61L27/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C22/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人 | 高福勇 |
| 主权项 | 一种新型镁合金羟基磷灰石复合膜的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：步骤[1]四针ZnO<sub>W</sub>晶须的表面修饰处理；步骤[2]镁合金多孔结构羟基磷灰石层的制备；步骤[3]经修饰处理的四针ZnO<sub>W</sub>晶须的复合电沉积。 | ||
| 地址 | 100144 北京市石景山区晋元庄路5号 | ||