集成电路电磁辐射分析方法

摘要

本发明属于电磁兼容技术领域，尤其涉及一种集成电路电磁辐射分析方法。本发明提出的集成电路电磁辐射分析方法，包括：获取集成电路处于第一工作状态时、距离集成电路表面距离为h₁的第一观测平面上的m个观测点的切向磁场强度和相位数据H^ms；确定时域等效电偶极子模型中等效电偶极子的数量为n；根据获取的所述m个观测点的切向磁场强度和相位数据H^ms，求解所述时域等效电偶极子模型中n个等效电偶极子的参数。本发明提出的集成电路电磁辐射分析方法通过实测数据和模型运算，建立可用于精确地进行电磁兼容性能分析和预测的集成电路时域等效电偶极子模型，节省了测量时间和测量费用，提高了分析和预测效率。

主权项

一种集成电路电磁辐射分析方法，其特征在于，包括以下步骤：获取集成电路处于第一工作状态时、距离集成电路表面距离为h₁的第一观测平面上的m个观测点的切向磁场强度和相位数据H^ms，其中，和分别是在第i个观测点处获取的x方向和y方向的切向磁场强度和相位分量，1≤i≤m；确定时域等效电偶极子模型中等效电偶极子的数量为n，其中，n≤m；根据获取的所述m个观测点的切向磁场强度和相位数据H^ms，求解所述时域等效电偶极子模型中n个等效电偶极子的参数，所述参数包括：电流表达式、幅值表达式、和相位表达式；具有所述参数的n个等效电偶极子所组成的所述时域等效电偶极子模型在所述第一观测平面上的所述m个观测点上所产生的计算切向磁场强度和相位数据H^c与获取的所述m个观测点的切向磁场强度和相位数据H^ms是相同的。