分栅式闪存器件制造方法

摘要

本发明提供一种分栅式闪存器件制造方法，通过在浮栅氮化硅层刻蚀后的氧等离子体灰化工艺中加入氢气、氮气、氟基气体中的至少一种气体，在去除浮栅氮化硅层刻蚀所用的光刻胶层的同时将附着在浮栅氮化硅层侧壁上的聚合物残留同时去除，从而能够消除该聚合物残留对后续的浮栅多晶硅层的刻蚀工艺产生的不利影响，获得符合要求的浮栅尖端的高度，进而能够避免字线多晶硅层反向尖端的形成，改善逆向隧穿现象导致的编程串扰失效问题。

主权项

一种分栅式闪存器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅多晶层、浮栅氮化硅层以及图形化光刻胶；以所述图形化光刻胶为掩膜，刻蚀所述浮栅氮化硅层直至暴露出所述浮栅多晶硅层；采用氧等离子体灰化工艺去除所述图形化光刻胶，所述氧等离子体灰化工艺采用的工艺气体还包含氢气、氮气、氟基气体中的至少一种；以所述浮栅氮化硅层为掩膜，刻蚀所述浮栅多晶硅层至一定深度，以用于后续形成浮栅尖端；在所述浮栅氮化硅层的内侧壁上形成第一侧墙，以所述第一侧墙为掩膜，继续刻蚀所述浮栅多晶硅层以及浮栅氧化层，直至暴露出下方的半导体衬底表面；在所述浮栅多晶硅层以及浮栅氧化层的内侧壁上形成第二侧墙，并在所述第一侧墙和第二侧墙的连通开口中形成源线多晶硅层；去除所述浮栅氮化硅层，并去除所述第一侧墙外侧暴露出的多余的浮栅多晶硅层，以获得带有浮栅尖端的浮栅；在所述浮栅以及第一侧墙的外侧依次形成隧穿氧化层、字线多晶硅层以及字线侧墙。