晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域；形成PMOS区域上的第一栅介质层、第一盖帽层以及位于第一盖帽层表面的第一伪栅极，形成NMOS区域上的第二栅介质层、第二盖帽层以及位于第二盖帽层表面的第二伪栅极；在半导体衬底表面形成介质层；在介质层、第一伪栅极、第二伪栅极表面形成金属掩膜层；刻蚀金属掩膜层，暴露出第一伪栅极表面，去除第一伪栅极，形成第一凹槽；在第一凹槽内形成第一金属栅极；采用无氯刻蚀气体刻蚀金属掩膜层，暴露出第二伪栅极表面，并去除第二伪栅极，形成第二凹槽；在第二凹槽内形成第二金属栅极。上述方法可以提高形成的晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；形成覆盖部分PMOS区域的第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的第一盖帽层以及位于第一盖帽层表面的第一伪栅极，形成覆盖部分NMOS区域的第二栅介质层、位于第二栅介质层表面的第二盖帽层以及位于第二盖帽层表面的第二伪栅极；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与第一伪栅极、第二伪栅极的表面齐平；在所述介质层、第一伪栅极、第二伪栅极表面形成金属掩膜层；刻蚀PMOS区域上的金属掩膜层，暴露出第一伪栅极表面，并去除所述第一伪栅极，在PMOS区域上形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成填充满所述第一凹槽的第一金属栅极；采用无氯刻蚀气体刻蚀所述NMOS区域上的金属掩膜层，暴露出第二伪栅极表面，并去除所述第二伪栅极，在NMOS区域上形成第二凹槽；在所述第二凹槽内形成填充满所述第二凹槽的第二金属栅极。