发明名称 一种有机场效应晶体管、其制备方法及应用
摘要 本发明提供了一种有机场效应晶体管、其制备方法及应用,所述有机场效应晶体管包括源电极、漏电极和栅电极,还包括基板、有机半导体层和有机绝缘层,其中,所述基板、源电极、有机半导体层和所述漏电极依次层叠结合,所述栅电极由多个彼此分离的栅电极单元构成,且每一栅电极单元由所述有机绝缘层包覆,并平行设置在所述有机半导体层中,且使得所述栅电极与所述源电极平行。该有机场效应晶体管的制备方法为在基板上制备源电极;在源电极上涂覆第一有机半导体层;在第一有机半导体层上涂覆第一有机绝缘层;在第一有机绝缘层上制备栅电极;在栅电极上制备第二有机绝缘层;刻蚀所述栅电极;涂覆第二有机半导体层;在第二有机半导体层上制备漏电极。
申请公布号 CN106206946A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201510224077.1 申请日期 2015.05.05
申请人 TCL集团股份有限公司 发明人 宋晶尧
分类号 H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/05(2006.01)I
代理机构 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人 张全文
主权项 一种有机场效应晶体管,包括源电极、漏电极和栅电极,其特征在于,还包括基板、有机半导体层和有机绝缘层,其中,所述基板、源电极、有机半导体层和所述漏电极依次层叠结合,所述栅电极由多个彼此分离的栅电极单元构成,且每一栅电极单元由所述有机绝缘层包覆,并平行设置在所述有机半导体层中,且使得所述栅电极与所述源电极平行。
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