发明名称 |
电阻式随机存取存储器 |
摘要 |
本发明提供一种电阻式随机存取存储器。本发明的电阻式随机存储器包括第一电极、第二电极以及设置于第一电极与第二电极之间的可变电阻氧化物层。所述电阻式随机存取存储器还包括氧交换层、富氧层及第一氧阻障层。氧交换层设置于可变电阻氧化物层与第二电极之间。富氧层设置于氧交换层与第二电极之间。第一氧阻障层设置于氧交换层与富氧层之间。本发明可提升电阻式随机存取存储器的高温数据保持能力。 |
申请公布号 |
CN106206936A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201510226092.X |
申请日期 |
2015.05.06 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
陈达;王炳琨;廖绍憬;林孟弘 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
马雯雯;臧建明 |
主权项 |
一种电阻式随机存取存储器,包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻氧化物层,其特征在于,所述电阻式随机存取存储器还包括:氧交换层,设置于所述可变电阻氧化物层与所述第二电极之间;富氧层,设置于所述氧交换层与所述第二电极之间;以及第一氧阻障层,设置于所述氧交换层与所述富氧层之间。 |
地址 |
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 |