| 发明名称 | FinFET接触结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域具有凹面；第二栅极结构，位于第二部分上；以及第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于第二部分中且位于第二栅极结构的相对侧，其中，第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域具有凹面。 | ||
| 申请公布号 | CN106206437A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510267172.X | 申请日期 | 2015.05.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴明园;林彦伯;吕侑珊;许哲源 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种方法，包括：外延生长第一半导体材料以在半导体衬底中形成第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域；向所述第一漏极/源极区域和所述第二漏极/源极区域的顶面施加第一蚀刻工艺，并且作为所述第一蚀刻工艺的结果，在所述第一漏极/源极区域中形成第一凹部且在所述第二漏极/源极区域中形成第二凹部；以及形成第一漏极/源极接触件和第二漏极/源极接触件，其中：所述第一漏极/源极接触件的底部位于所述第一凹部中；并且所述第二漏极/源极接触件的底部位于所述第二凹部中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||