| 摘要 |
FinFET에 적합하며, 매립된 절연체층을 가지는 핀 구조가 개시된다. 예시적인 실시형태에서, 반도체 디바이스는 제1 반도체 재료를 가지며, 상부에 핀 구조가 형성된 기판을 구비한다. 핀 구조는 상기 기판에 근접한 하부 영역과, 상기 하부 영역에 배치된 제2 반도체 재료와, 상기 제2 반도체 재료 상에 배치된 제3 반도체 재료와, 상기 제2 반도체 재료 상에 선택적으로 배치되어, 상기 핀 구조의 채널 영역을 전기적으로 격리하고, 또한 상기 채널 영역에 변형을 가하는 절연 재료를 포함한다. 반도체 디바이스는 핀 구조에 인접하게 배치된 격리 특징부를 더 구비한다. |
