| 摘要 |
실시예에 따른 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되어 자외선 광을 발생시키는 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층과, 상기 활성층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되어 AlGaN (0＜x≤1)을 포함하는 제1 층과, GaN을 포함하는 제2 층을 포함하는 정공 주입층을 포함할 수 있다. 실시예는 정공 주입층을 다층으로 형성함으로써, 자외선 광이 흡수되는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다. |
