发明名称 Shottky Diode having a Floating Structure
摘要 본 발명은 플로팅 구조를 갖는 쇼트키 다이오드에 관한 것으로, 애노드 전극과 캐소드 전극 사이 영역에 플로팅 전위를 갖도록 형성된 가드링을 통해 종래 대비 항복 전압을 높일 수 있는 플로팅 구조를 갖는 쇼트키 다이오드에 관한 것이다.
申请公布号 KR20160137869(A) 申请公布日期 2016.12.01
申请号 KR20150072155 申请日期 2015.05.22
申请人 매그나칩 반도체 유한회사 发明人 방연섭;김현철
分类号 H01L29/872;H01L29/66 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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