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发明名称
Shottky Diode having a Floating Structure
摘要
본 발명은 플로팅 구조를 갖는 쇼트키 다이오드에 관한 것으로, 애노드 전극과 캐소드 전극 사이 영역에 플로팅 전위를 갖도록 형성된 가드링을 통해 종래 대비 항복 전압을 높일 수 있는 플로팅 구조를 갖는 쇼트키 다이오드에 관한 것이다.
申请公布号
KR20160137869(A)
申请公布日期
2016.12.01
申请号
KR20150072155
申请日期
2015.05.22
申请人
매그나칩 반도체 유한회사
发明人
방연섭;김현철
分类号
H01L29/872;H01L29/66
主分类号
H01L29/872
代理机构
代理人
主权项
地址
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