| 摘要 |
반도체 장치가 제공된다. 상기 반도체 장치는 기판 상에 형성된 게이트, 게이트의 일측에 형성된 소오스 영역, 소오스 영역의 하부에 형성된 제1 도전형의 바디 영역, 게이트의 타측에 형성된 제2 도전형의 드레인 영역, 소오스 영역과 드레인 영역 사이의 기판 내에 형성되며, 게이트와 일부 중첩하는 소자 분리 영역 및 소오스 영역에서 드레인 영역 방향으로 연장되어 바디 영역 하부에 배치되되, 소자 분리 영역과 일부 중첩되는 반면 드레인 영역과 비중첩되는 제1 매몰층을 포함한다. |
