摘要 |
In einer Aufsicht auf ein Halbleitersubstrat 2 enthält das Halbleitersubstrat 2 eine Säulenaußenfläche 41, an der das Säulengebiet 20 an der vorderen Oberfläche 50 des Halbleitersubstrats 2 außen liegt, eine Säulenkontaktfläche 42, an der das Säulengebiet 20 in Kontakt mit einer tieferen Seite des Anodenkontaktgebiets 24 ist, und eine Anodenkontaktfläche 24, in der das Anodengebiet 43 in Kontakt mit der tieferen Seite des Anodenkontaktgebiets 24 ist. In einer Richtung, entlang der die Säulenkontaktfläche 42 und die Anodenkontaktfläche 43 ausgerichtet sind, ist eine Breite w42 der Säulenkontaktfläche 42 kleiner als eine Breite w43 der Anodenkontaktfläche 43. |
申请人 |
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
Senoo, Masaru;Soeno, Akitaka;Hirabayashi, Yasuhiro;Kuno, Takashi;Yamashita, Yusuke;Machida, Satoru |