HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER SUPERJUNCTION-STRUKTUR MIT KOMPENSATIONSSCHICHTEN UND EINER DIELEKTRISCHEN SCHICHT

摘要

Eine Superjunction-Halbleitervorrichtung (500), umfassend: eine geschichtete Kompensationsstruktur (160), welche eine n-Typ Kompensationsschicht (161) und eine p-Typ Kompensationsschicht (162) umfasst; eine dielektrische Schicht (171), welche der p-Typ Schicht (162) gegenüberliegt; und eine Zwischenschicht (175), welche zwischen der dielektrischen Schicht (171) und der p-Typ Kompensationsschicht (162) eingefügt ist, wobei die geschichtete Kompensationsstruktur (160) und die Zwischenschicht (175) so angeordnet sind, dass bei einer zwischen den n-Typ und p-Typ Kompensationsschichten (161, 162) anliegenden Rückwärtsspannung, Löcher, welche in die Richtung der dielektrischen Schicht (171) beschleunigt werden, keine ausreichende Energie zur Absorption und zum Einbau in das dielektrische Material haben.