一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法

摘要

本发明公开了一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法。本发明利用掺杂试剂对转移膜上的石墨烯薄膜进行掺杂，而后将掺杂后的石墨烯薄膜转移至目标衬底上，重复这一步骤，转移至少两层石墨烯薄膜。其中转移膜上的石墨烯也可以不掺杂，或者使用不同的掺杂试剂，进行不同的排列组合顺序的多次转移。通过此法可以方便快捷的得到大面积的低方阻石墨烯材料，所得材料具有良好的导电性和稳定性，同时可以有效的减少甚至避免石墨烯经掺杂转移后方阻衰减的问题。

主权项

一种降低石墨烯方阻的掺杂转移方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将转移膜上的石墨烯薄膜进行清洗后烘烤；(2)用掺杂试剂对烘烤之后的石墨烯薄膜进行掺杂；(3)对掺杂之后的石墨烯薄膜进行预处理；(4)将步骤(1)得到的未掺杂的或者步骤(3)得到的掺杂并预处理的石墨烯薄膜转移至目标衬底上，进行烘烤之后去除转移膜；(5)重复步骤(1)～步骤(4)至少一次。