固态图像拾取装置及其制造方法和包括它的图像拾取系统

摘要

本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法和包括它的图像拾取系统。该固态图像拾取装置的制造方法包括：在形成第一传输晶体管的栅电极和第二传输晶体管的栅电极之后在基板之上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；通过以使得第一绝缘膜保持在光电转换单元的半导体区域和电荷保持单元的半导体区域上的方式蚀刻第二绝缘膜，通过第一绝缘膜，分别在第一和第二传输晶体管的栅电极的侧表面上形成第一结构和第二结构；和形成覆盖第一传输晶体管的栅电极、电荷保持单元的半导体区域和第二传输晶体管的栅电极的遮光膜。

主权项

一种固态图像拾取装置，其特征在于，包括：光电转换单元，包含第一半导体区域；第一晶体管，被配置为传输第一半导体区域中的电荷；电荷保持单元，包含被配置为保持从第一晶体管传输的电荷的第二半导体区域；第二晶体管，被配置为传输第二半导体区域中的电荷；第一绝缘膜，覆盖第一半导体区域、第一晶体管的第一栅电极、第二半导体区域和第二晶体管的第二栅电极；第一结构，被设置在第一栅电极的第一侧表面上，第一绝缘膜介于第一栅电极与第一结构之间，第一侧表面处于设置光电转换单元的一侧，第一栅电极的第二表面处于设置电荷保持单元的一侧；以及遮光膜，沿第一结构被设置在从第一栅电极之上的区域延伸到第一半导体区域之上的区域的区域上，其中第一半导体区域和第二半导体区域位于基板中，其中，第一结构的顶部在从光电转换单元到电荷保持单元的第一方向上的断面形状具有其中所述顶部的表面与第一栅电极的第一侧表面之间的距离在从第一结构的底部到第一结构的顶部的第二方向上减小的表面，以及，其中，第一半导体区域与处于第一半导体区域之上的遮光膜的端部之间的距离比第一栅电极的顶表面与基板之间的距离小。