图案化光致抗蚀剂的去除

摘要

本发明涉及图案化光致抗蚀剂的去除。具体的，本发明提供一种用于执行光刻工艺的方法。所述方法在光致抗蚀剂已被用作为蚀刻掩模后，促进光致抗蚀剂从晶片的去除。所述光致抗蚀剂可以是负色调光致抗蚀剂，其经历曝露于电磁能的交联过程。通过降低的曝光后烘烤温度和/或减少交联剂加载来限制所述交联，所述光致抗蚀剂或者至少其一部分可具有减小的溶剂式剥除阻力。由于所述减小的溶剂式剥除阻力，所述光致抗蚀剂的一部分可使用溶剂式剥除加以去除。在所述溶剂式剥除之后，可执行干蚀刻以去除所述光致抗蚀剂的剩余部分。

主权项

一种图案化半导体衬底的方法，所述方法包括：将感光层的多个部分曝露于辐射源之下，其中所述感光层设置于材料层上，且其中所述多个部分被光刻掩模界定，所述材料层形成于所述半导体衬底上；应用处理以部分地交联所述感光层的所述曝露部分；显影所述感光层以生成所述感光层的图案化部分，所述图案化部分对应于所述感光层的所述曝露部分；蚀刻所述材料层的曝露部分以将所述光刻掩模的图案转移到所述材料层，且转移到所述半导体衬底；以及通过湿蚀刻工艺去除所述感光层的所述图案化部分的每一者中的至少一部分。