发明名称 |
一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器,包括依次叠加的外延硅衬底、隔离层、硅窗口、顶电极和石墨烯薄膜,外延硅衬底具有重掺杂层和轻掺杂层;制备方法为制备外延硅衬底后,在外延硅衬底上依次植上隔离层和顶电极,蚀刻出硅窗口,再将石墨烯薄膜移入硅窗口和顶电极中完成制备。本发明通过采用石墨烯/硅结构形成的超浅结设计来增强紫外波段响应;通过在重掺杂底层上表面外延生长薄硅轻掺杂结构来减小表面复合,有效增加紫外响应、抑制可见光响应,实现光谱选择性探测;通过采用高导电性石墨烯薄膜,额外增加紫外光吸收,使紫外光灵敏度以及响应速度得到提高,接近甚至超过传统硅基紫外探测器的理论性能极限。 |
申请公布号 |
CN106169516A |
申请公布日期 |
2016.11.30 |
申请号 |
CN201610795099.8 |
申请日期 |
2016.08.31 |
申请人 |
杭州紫元科技有限公司 |
发明人 |
万霞 |
分类号 |
H01L31/108(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/108(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器,其特征在于,包括外延硅衬底,所述外延硅衬底包括位于下层的重掺杂层和位于上层的轻掺杂层,所述轻掺杂层上表面设有隔离层,所述隔离层中央开设有硅窗口,所述隔离层上表面还设有顶电极,所述顶电极位于所述硅窗口的外周,所述硅窗口的上表面和内侧壁、所述顶电极的上表面和内侧壁均覆设有石墨烯薄膜。 |
地址 |
310000 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心7号二层216室 |