发明名称 | 基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑 | ||
摘要 | 本实用新型提供基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑。半桥MMC自均压拓扑,由半桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。半桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6<i>N</i>个机械开关发生电气联系,机械开关闭合,两者构成基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑,机械开关打开,拓扑等效为半桥MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下,自均压辅助回路中的6<i>N</i>个机械开关可以省略,用导线替代,直接构成基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑。该半桥MMC自均压拓扑,不依赖于专门的均压控制,能够在完成直交流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时能相应降低子模块触发频率和电容容值,实现半桥MMC的基频调制。 | ||
申请公布号 | CN205754045U | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
申请号 | CN201620068863.7 | 申请日期 | 2016.01.25 |
申请人 | 华北电力大学 | 发明人 | 赵成勇;刘航;许建中 |
分类号 | H02M7/49(2007.01)I | 主分类号 | H02M7/49(2007.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑,其特征在于:包括由A、B、C三相构成的半桥MMC模型,A、B、C三相分别由2<i>N</i>个半桥子模块,2个桥臂电抗器串联而成;包括由6<i>N</i>个机械开关,6<i>N</i>+5个钳位二极管,2个辅助电容<i>C</i><sub>1</sub>、<i>C</i><sub>2</sub>,2个辅助IGBT模块<i>T</i><sub>1</sub>、<i>T</i><sub>2</sub>构成的自均压辅助回路。 | ||
地址 | 102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号 |