| 发明名称 |
Method for fabricating semiconductor device |
| 摘要 |
반도체 장치 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치 제조 방법은 게이트 전극과, 게이트 전극의 양측에 소오스/드레인을 형성하고, 게이트 전극 및 소오스/드레인을 덮는 층간 절연막을 형성하고, 층간 절연막 내에, 소오스/드레인을 노출시키는 컨택홀을 형성하고, 컨택홀의 바닥면에, 실리사이드층을 형성하고, 컨택홀의 측벽 및 상기 실리사이드층 상에, 스페이서를 형성하는 것을 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160136579(A) |
申请公布日期 |
2016.11.30 |
| 申请号 |
KR20150070243 |
申请日期 |
2015.05.20 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
BAE, DEOK HAN;KIM, KYUNG SOO;KIM, CHUL SUNG;SHIN, WOO CHEOL;JUN, HWI CHAN |
| 分类号 |
H01L29/66 |
主分类号 |
H01L29/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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