Method ofmanufacturing nitride semiconductor substrates by using cleavage property of material

摘要

본 발명은 벽개 특성을 이용한 질화물 반도체 기판 제조 방법으로서, 격자상수 및 열팽창 계수가 적으며 물리적으로 벽개 특성을 갖는 SCAM 기판을 베이스 기판으로 사용하여 상부에 질화물 반도체층을 성장시키고, 반응기의 온도를 상온으로 냉각시켜 온도 하강 중 SCAM 기판의 벽개 특성으로 인해 SCAM 기판이 자연 분리됨으로써 질화물 반도체 기판을 생산하는 방안을 제시한다.