| 发明名称 | 高功率同面电极嵌入式台面型光导开关 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高功率同面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法，主要解决现有技术中光在器件中光程较短的问题。该光导开关包括半绝缘碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其中半绝缘碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°的斜边，作为倾斜入射台面(2)；该半绝缘碳化硅衬底的上表面和斜边表面淀积氮化硅层(7)，用于减少入射光在表面的反射，同时增加器件的耐压能力；该半绝缘碳化硅衬底上部两端开有两个凹槽(3,4)，凹槽自表面上的氮化硅层(7)到半绝缘碳化硅衬底(1)的深度为3～5μm，一对欧姆接触电极(5,6)嵌在这两个凹槽(3,4)中。本发明在相同的电压条件下耐压能力更高，可用于高功率脉冲系统中。 | ||
| 申请公布号 | CN106169515A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201610565474.X | 申请日期 | 2016.07.18 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 郭辉;杨佳奇;张玉明;张晨旭 |
| 分类号 | H01L31/08(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 高功率同面电极嵌入式台面型光导开关，包括半绝缘碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其特征在于：半绝缘碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°的斜边，作为倾斜入射台面(2)；半绝缘碳化硅衬底(1)的上表面和斜边表面淀积氮化硅(7)，用于减少入射光在表面的反射，同时增加器件的耐压能力。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||