| 发明名称 | 用于多图案化应用的光调谐硬掩模 | ||
| 摘要 | 一种用于多图案化应用的光调谐硬掩膜。本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>C<sub>z</sub>:H<sub>w</sub>，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>C<sub>z</sub>:H<sub>w</sub>被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。 | ||
| 申请公布号 | CN106169415A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201610796315.0 | 申请日期 | 2014.05.02 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 克里斯多弗·丹尼斯·本彻;丹尼尔·李·迪尔;慧雄·戴;曹勇;许廷军;郑伟民;谢鹏 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
| 主权项 | 一种可图案化硬掩模层，所述可图案化硬掩模层包括：SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>层，所述SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>层设置于基板的表面上，其中调整所述SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>层的硅、氧及氮含量，使得所述SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>层的折射率(n)实质上等于待形成于所述SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>层上的抗蚀剂层的折射率(n)，并且这些折射率是在意图使用的光刻曝光波长下进行测量的。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||